SAMSUNG 990 EVO Plus 1TB
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
TLC (Triple-Level Cell)
Schnittstelle
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Merkmale
Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Techn
Interner Datendurchsatz
7150 MBps (lesen)/ 6300 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write
1350000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read
850000 IOPS
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Energieverbrauch
4.3 Watt (Lesen) ¦ 4.2 Watt (Schreiben) ¦ 60 mW (Standby) ¦
Software inbegriffen
Samsung Magician Software
Gehäusematerial
Nickelbeschichtung
Service und Support
Begrenzte Garantie - 5 Jahre / 600 TBW
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)
20 g @ 20-2000 Hz
