SAMSUNG 990 EVO Plus 4TB
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
TLC (Triple-Level Cell)
Schnittstelle
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Merkmale
Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Techn
Interner Datendurchsatz
7250 MBps (lesen)/ 6300 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write
1400000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read
1050000 IOPS
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Energieverbrauch
5.5 Watt (Lesen) ¦ 4.8 Watt (Schreiben) ¦ 60 mW (Standby) ¦
Software inbegriffen
Samsung Magician Software
Gehäusematerial
Nickelbeschichtung
Service und Support
Begrenzte Garantie - 5 Jahre / 2400 TBW
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb
5 - 95 % (nicht kondensierend)
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)
20 g @ 20-2000 Hz
